CARUSO, EMANUELE
 Distribuzione geografica
Continente #
NA - Nord America 171
EU - Europa 56
AS - Asia 47
SA - Sud America 3
AF - Africa 2
Totale 279
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 168
GB - Regno Unito 21
SG - Singapore 13
CN - Cina 12
HK - Hong Kong 10
SE - Svezia 9
IT - Italia 8
DE - Germania 6
BR - Brasile 3
FR - Francia 3
IN - India 3
VN - Vietnam 3
AT - Austria 2
CA - Canada 2
FI - Finlandia 2
KR - Corea 2
TR - Turchia 2
UA - Ucraina 2
AE - Emirati Arabi Uniti 1
AL - Albania 1
BD - Bangladesh 1
BG - Bulgaria 1
DZ - Algeria 1
MX - Messico 1
PT - Portogallo 1
TN - Tunisia 1
Totale 279
Città #
Fairfield 23
Southend 16
Ashburn 13
Cambridge 12
Santa Clara 11
Seattle 11
Chandler 10
Hong Kong 10
Singapore 10
Wilmington 10
Houston 9
Woodbridge 8
Nyköping 6
Beijing 5
Dearborn 5
Hefei 5
Chicago 4
Jacksonville 4
San Diego 4
San Jose 4
London 3
Modena 3
The Dalles 3
Grafing 2
Helsinki 2
Izmir 2
Kundan 2
Milan 2
Seoul 2
Ann Arbor 1
Azcapotzalco 1
Bologna 1
Bradenton 1
Bremen 1
Brooklyn 1
Bắc Giang 1
Chiswick 1
Eugene 1
Hammamet 1
Hanoi 1
Ho Chi Minh City 1
Irving 1
Los Angeles 1
Marataizes 1
Milton 1
Mumbai 1
Muriaé 1
New York 1
Norwalk 1
Princeton 1
Redondo Beach 1
Redwood City 1
Rio de Janeiro 1
San Francisco 1
Santa Ana 1
Sharjah 1
Shkodër 1
Sofia 1
Sterling 1
Tampa 1
Toronto 1
Vancouver 1
Totale 234
Nome #
Modelling nanoscale n-MOSFETs with III-V compound semiconductor channels: From advanced models for band structures, electrostatics and transport to TCAD 280
Totale 280
Categoria #
all - tutte 1.242
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 1.242


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2020/202114 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 5 9
2021/202229 8 0 0 0 1 7 0 0 1 4 6 2
2022/202324 3 4 1 3 3 3 1 2 1 0 2 1
2023/202413 2 1 1 1 3 0 2 0 0 1 1 1
2024/202539 3 0 1 3 7 5 1 1 3 1 8 6
2025/202654 4 4 2 4 9 4 9 4 6 8 0 0
Totale 280