statistiche ricercatore

Nazione	#
US - Stati Uniti d'America	1.701
SG - Singapore	328
CN - Cina	294
GB - Regno Unito	213
SE - Svezia	96
BR - Brasile	86
VN - Vietnam	84
HK - Hong Kong	83
DE - Germania	73
IT - Italia	61
KR - Corea	44
TR - Turchia	44
RU - Federazione Russa	43
UA - Ucraina	42
FI - Finlandia	31
FR - Francia	23
CA - Canada	16
BD - Bangladesh	13
BG - Bulgaria	13
IN - India	10
MX - Messico	9
JP - Giappone	8
ES - Italia	6
PL - Polonia	6
ZA - Sudafrica	6
AR - Argentina	5
BE - Belgio	5
EC - Ecuador	5
PK - Pakistan	5
AE - Emirati Arabi Uniti	4
MY - Malesia	4
TW - Taiwan	4
CH - Svizzera	3
CL - Cile	3
ID - Indonesia	3
IE - Irlanda	3
IL - Israele	3
IQ - Iraq	3
LT - Lituania	3
PH - Filippine	3
AT - Austria	2
AU - Australia	2
CO - Colombia	2
DK - Danimarca	2
JM - Giamaica	2
JO - Giordania	2
KE - Kenya	2
LK - Sri Lanka	2
NG - Nigeria	2
PA - Panama	2
PE - Perù	2
PS - Palestinian Territory	2
PY - Paraguay	2
SA - Arabia Saudita	2
UZ - Uzbekistan	2
VE - Venezuela	2
AM - Armenia	1
AZ - Azerbaigian	1
BA - Bosnia-Erzegovina	1
CR - Costa Rica	1
CY - Cipro	1
DO - Repubblica Dominicana	1
EE - Estonia	1
GD - Grenada	1
GR - Grecia	1
KH - Cambogia	1
KW - Kuwait	1
KZ - Kazakistan	1
LA - Repubblica Popolare Democratica del Laos	1
LU - Lussemburgo	1
MK - Macedonia	1
NI - Nicaragua	1
NL - Olanda	1
NO - Norvegia	1
NP - Nepal	1
OM - Oman	1
PT - Portogallo	1
RO - Romania	1
SN - Senegal	1
TM - Turkmenistan	1
TN - Tunisia	1
Totale	3.446

Nome	#
A 2.4-GHz wireless alpha-ray sensor for remote monitoring and spectroscopy	364
Efficiency droop in InGaN/GaN blue light-emitting diodes: Physical mechanisms and remedies	346
Functional test of a Radon sensor based on a high-resistivity-silicon BJT detector	295
TCAD optimization of field-plated InAlAs-InGaAs HEMTs	288
Fabrication of novel high frequency and high breakdown InAlAs-InGaAs pHEMTs	284
Investigation of Efficiency-Droop Mechanisms in Multi-Quantum-Well InGaN/GaN Blue Light-Emitting Diodes	281
Design and characterization of current-assisted photonic demodulators in 0.18-um CMOS technology	262
Performance of a Radon Sensor Based on a BJT Detector on High-Resistivity Silicon	260
Design of field-plated InP-based HEMTs	230
Analysis of efficiency-droop mechanisms in GaN-based light-emitting diodes, related technological solutions and discriminating experiments	212
Improvement of breakdown and DC-to-pulse dispersion properties in field-plated InGaAs-InAlAs pHEMTs	190
Analysis of efficiency-droop mechanisms in single-quantum-well InGaN/GaN light-emitting diodes	188
Dispositivo per la ripresa di immagini 3D basato su tecnologiaCMOS 180nm e telemetria a modulazione sinusoidale	177
Tecnologie e Dispositivi a Semiconduttore Avanzati per Applicazioni Optoelettroniche	93
Totale	3.470

	Totale	Lug	Ago	Sett	Ott	Nov	Dic	Gen	Feb	Mar	Apr	Mag	Giu
2020/2021	21	0	0	0	0	0	0	0	0	0	0	5	16
2021/2022	266	2	26	47	5	5	26	12	11	28	15	65	24
2022/2023	288	19	45	24	33	30	44	2	34	34	1	8	14
2023/2024	145	5	13	16	26	37	20	7	9	4	3	2	3
2024/2025	669	24	11	3	44	118	80	43	44	88	13	106	95
2025/2026	978	55	72	113	107	153	50	146	33	124	93	32	0
Totale													3.470