RUGGIERI, ALESSANDRO
 Distribuzione geografica
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Continente #
AS - Asia 168
NA - Nord America 116
EU - Europa 66
SA - Sud America 9
AF - Africa 6
Continente sconosciuto - Info sul continente non disponibili 4
Totale 369
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Nazione #
US - Stati Uniti d'America 111
IT - Italia 44
CN - Cina 39
TW - Taiwan 27
BD - Bangladesh 25
SG - Singapore 25
VN - Vietnam 17
IN - India 10
KR - Corea 8
BR - Brasile 7
HK - Hong Kong 7
BE - Belgio 4
CA - Canada 4
GB - Regno Unito 4
JP - Giappone 4
RU - Federazione Russa 4
DE - Germania 3
DZ - Algeria 3
FR - Francia 3
AR - Argentina 2
PK - Pakistan 2
BG - Bulgaria 1
EG - Egitto 1
ET - Etiopia 1
HN - Honduras 1
ID - Indonesia 1
IQ - Iraq 1
JO - Giordania 1
NL - Olanda 1
PL - Polonia 1
SE - Svezia 1
TN - Tunisia 1
TR - Turchia 1
Totale 365
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Città #
Ashburn 20
Singapore 20
Santa Clara 16
Hefei 15
Taipei 14
San Jose 11
New Taipei City 7
Council Bluffs 6
Hanoi 6
Modena 6
Beijing 5
Hong Kong 5
Los Angeles 5
Seoul 5
Taranto 5
Bologna 4
Ho Chi Minh City 4
New York 4
Tokyo 4
Boardman 3
Dallas 3
Guangzhou 3
Toronto 3
Antwerp 2
Arezzo 2
Buffalo 2
Ceranova 2
Chicago 2
Clifton Park 2
Daan 2
Dresden 2
Ferrara 2
Hangzhou 2
Leuven 2
London 2
Mysore 2
Namdong-gu 2
Orem 2
Rūpnagar 2
Srinagar 2
Tower Hamlets 2
Zhubei 2
Addis Ababa 1
Amman 1
Amsterdam 1
Baghdad 1
Baltimore 1
Barueri 1
Birmingham 1
Biên Hòa 1
Bragado 1
Brooklyn 1
Béziers 1
Castellarano 1
Chandler 1
Colón 1
Crawfordville 1
Curitiba 1
Da Nang 1
Denpasar 1
Detroit 1
Draria 1
Dripping Springs 1
Frederico Westphalen 1
Giza 1
Hillsboro 1
Huế 1
Islamabad 1
Kent 1
Lauterbourg 1
Limeira 1
Liuzhou 1
McMinnville 1
Miano 1
Montecchio Emilia 1
Monza 1
Moscow 1
Nanjing 1
Naples 1
New Delhi 1
Nova Serrana 1
Nuremberg 1
Padua 1
Rawalpindi 1
Rome 1
Roorkee 1
San Francisco 1
San Salvatore Monferrato 1
Shanghai 1
Silsbee 1
Sofia 1
Solânea 1
Staten Island 1
Tainan 1
Tampa 1
The Dalles 1
Thái Nguyên 1
Tunis 1
Vazante 1
Verona 1
Totale 270
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Nome #
On the design of LDMOS finFETs in advanced technology nodes 225
Novel 3.3V RF-LDMOS in 16nm FinFET with the best RF and reliability trade-off enabling integrated Watt-level power amplifiers in connectivity SoC 90
Assessment of dual-oxide options for LDMOS transistors in FinFET technology 46
A Model for Hot-Electron Injection in the Passivation Layer of AlGaN/GaN HFETs Based on Monte Carlo Simulations 8
Totale 369
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Categoria #
all - tutte 990
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 990
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Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2024/2025114 0 0 0 28 16 14 9 4 7 3 17 16
2025/2026221 20 10 16 9 8 4 19 17 19 33 35 31
2026/202734 20 14 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Totale 369