La presente invenzione è relativa ad un dispositivo transistore ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica ("High Electron Mobility Transistor", HEMT) avente una struttura di porta migliorata e al relativo procedimento di fabbricazione.
DISPOSITIVO HEMT AVENTE UNA STRUTTURA DI PORTA MIGLIORATA E RELATIVO PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE / Iucolano, Ferdinando; Chini, Alessandro; Eloisa Castagna, Maria; Constant, Aurore; Tringali, Cristina. - (2023 Mar 27).
DISPOSITIVO HEMT AVENTE UNA STRUTTURA DI PORTA MIGLIORATA E RELATIVO PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE
Alessandro Chini;
2023
Abstract
La presente invenzione è relativa ad un dispositivo transistore ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica ("High Electron Mobility Transistor", HEMT) avente una struttura di porta migliorata e al relativo procedimento di fabbricazione.
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