Articolo su rivista: [69853] Home page tipologia

Contributo scientifico, sviluppato generalmente su uno specifico argomento, che illustra risultati originali di una ricerca o presenta caratteristiche di review, cioè di discussione dello stato dell’arte o della letteratura entro un ambito scientifico definito. La rivista di pubblicazione deve presentare caratteristiche di scientificità. La tipologia non comprende editoriali, commenti brevi, repliche, abstract, errata, recensioni e prodotti similari, per i quali sono previste specifiche tipologie.

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A Time-Domain Simulation Framework for the Modeling of Jitter in High-Speed Serial Interfaces 1-gen-2023 Cortiula, A.; Menin, D.; Bandiziol, A.; Grollitsch, W.; Nonis, R.; Palestri, P.
Improved understanding of metal–graphene contacts 1-gen-2019 Driussi, F.; Venica, S.; Gahoi, A.; Gambi, A.; Giannozzi, P.; Kataria, S.; Lemme, M. C.; Palestri, P.; Esseni, D.
Analytical Modeling of Jitter in Bang-Bang CDR Circuits Featuring Phase Interpolation 1-gen-2021 Palestri, P.; Elnaqib, A.; Menin, D.; Shyti, K.; Brandonisio, F.; Bandiziol, A.; Rossi, D.; Nonis, R.
LC-VCO in the 3.3- to 4-GHz Band Implemented in 32-nm Low-Power CMOS Technology 1-gen-2011 D., Ponton; G., Knoblinger; A., Roithmeier; F., Cernoia; M., Tiebout; M., Fulde; Palestri, Pierpaolo
Revised Stability Analysis of the Nonlinear Poisson Scheme in Self-Consistent Monte Carlo Device Simulations 1-gen-2006 Palestri, Pierpaolo; Barin, N; Esseni, David; Fiegna, C.
Full-Band Quantization Analysis Reveals a Third Valley in Silicon Inversion Layers 1-gen-2005 Esseni, David; Palestri, Pierpaolo
Pseudo-spectral methods for the efficient simulation of quantization effects in nanoscale MOS transistors 1-gen-2010 Paussa, Alan; Conzatti, Francesco; Breda, Dimitri; Vermiglio, Rossana; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo
Compact Modeling of Thermal Resistance in Bipolar Transistors on Bulk and SOI substrates 1-gen-2002 Pacelli, A.; Palestri, Pierpaolo; Mastrapasqua, M.
Modeling and optimization of graphene ballistic rectifiers 1-gen-2022 Truccolo, D.; Boscolo, S.; Esseni, D.; Midrio, M.; Palestri, P.
Monte-Carlo simulation of MOSFETs with band offsets in the source and drain 1-gen-2008 Braccioli, M.; Palestri, Pierpaolo; Mouis, M.; Poiroux, T.; Vinet, M.; Le Carval, G.; Fiegna, C.; Sangiorgi, Enrico; Deleonibus, S.
Applicability of Macroscopic Transport Models to Decananometer MOSFETs 1-gen-2012 Vasicek, M; Cervenka, J; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Grasser, P.
Design and characterization of a 9.2Gbps transceiver for automotive microcontroller applications with 8-taps FFE and 1-tap unrolled/4-taps DFE 1-gen-2018 Bandiziol, A.; Grollitsch, W.; Steffan, G.; Nonis, R.; Palestri, P.
Study of gain, noise, and collection efficiency of GaAs SAM-APDs single pixel 1-gen-2022 Colja, M.; Cautero, M.; Menk, R. H.; Palestri, P.; Gianoncelli, A.; Antonelli, M.; Biasiol, G.; Zilio, S. D.; Steinhartova, T.; Nichetti, C.; Arfelli, F.; De Angelis, D.; Driussi, F.; Bonanni, V.; Pilotto, A.; Gariani, G.; Carrato, S.; Cautero, G.
Drain current improvements in uniaxially strained p-MOSFETs: A Multi-Subband Monte Carlo study 1-gen-2009 Conzatti, Francesco; De Michielis, Marco; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo
On the accuracy of current TCAD hot carrier injection models in nanoscale devices 1-gen-2010 A., Zaka; Q., Rafhay; Iellina, Matteo; Palestri, Pierpaolo; R., Clerc; D., Rideau; D., Garetto; E., Dornel; J., Singer; G., Pananakakis; C., Tavernier; H., Jaouen
Linear combination of bulk bands method for investigating the low-dimensional electron gas in nanostructured devices 1-gen-2005 Esseni, David; Palestri, Pierpaolo
Editorial: Selected papers from the 8th Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS 2022) 1-gen-2023 Driussi, F.; Esseni, D.; Lizzit, D.; Palestri, P.
Benchmarking of 3-D MOSFET Architectures: Focus on the Impact of Surface Roughness and Self-Heating 1-gen-2018 Badami, O.; Lizzit, D.; Driussi, F.; Palestri, P.; Esseni, D.
Theory of Motion at the band crossing points in bulk semiconductor crystals and in inversion layers 1-gen-2009 Esseni, David; Palestri, Pierpaolo
Monte Carlo Simulation of Impact Ionization in SiGe HBTs 1-gen-2001 Palestri, Pierpaolo; Pacelli, A.; Mastrapasqua, M.; Bude, J. D.
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Tipologia
  • Contributo su RIVISTA69851
  • Atti di CONVEGNO1
  • Contributo su VOLUME1
Autore
  • BORIANI, Giuseppe1085
  • BIZZETI, Andrea995
  • SALVARANI, CARLO875
  • FACCHINETTI, Fabio649
  • QUERQUES, Giuseppe618
  • MUSSINI, Cristina615
  • PELLACANI, Giovanni588
  • LONGO, Caterina577
  • GUARALDI, Giovanni575
  • VINCETI, Marco566
Data di pubblicazione
  • 2020 - 202720192
  • 2010 - 201923511
  • 2000 - 200914315
  • 1990 - 19998032
  • 1980 - 19893149
  • 1970 - 1979640
  • 1966 - 196911
Editore
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  • American Chemical Society:1155 Si...63
  • Edizioni Minerva Medica:Corso Bra...59
Rivista
  • JOURNAL OF HIGH ENERGY PHYSICS404
  • EFSA JOURNAL380
  • PLOS ONE315
  • PHYSICAL REVIEW LETTERS309
  • PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MAT...294
  • SCIENTIFIC REPORTS290
Serie
  • EUROPEAN DISTANCE AND E-LEARNING ...1
Keyword
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